- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录487 > NTD4813NHT4G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 40A DPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTD4813NHT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 40A DPAK |
| 产品变化通告： | Reactivation Notice 08/Apr/2011 Product Obsolescence 24/Jan/2011 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 940pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 1.27W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTD4813NHT4GOSCT |
NTD4813NH, NVD4813NH
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS
Parameter
Junction ? to ? Case (Drain)
Junction ? to ? TAB (Drain)
Junction ? to ? Ambient – Steady State (Note 1)
Junction ? to ? Ambient – Steady State (Note 2)
Symbol
R q JC
R q JC ? TAB
R q JA
R q JA
Value
4.25
3.5
77.5
118.5
Unit
° C/W
1. Surface ? mounted on FR4 board using 1 sq ? in pad, 1 oz Cu.
2. Surface ? mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
V (BR)DSS
V (BR)DSS /
T J
V GS = 0 V, I D = 250 m A
30
24.5
V
mV/ ° C
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
V GS = 0 V,
V DS = 24 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
1
10
m A
Gate ? to ? Source Leakage Current
I GSS
V DS = 0 V, V GS = ± 20 V
± 100
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 3)
Gate Threshold Voltage
Negative Threshold Temperature
Coefficient
V GS(TH)
V GS(TH) /T J
V GS = V DS , I D = 250 m A
1.5
5.4
2.5
V
mV/ ° C
Drain ? to ? Source On Resistance
R DS(on)
V GS = 10 V to
11.5 V
V GS = 4.5 V
I D = 30 A
I D = 15 A
I D = 30 A
10.9
10.7
20.9
13
25.9
m W
I D = 15 A
18.5
Forward Transconductance
g FS
V DS = 15 V, I D = 10 A
6.7
S
CHARGES AND CAPACITANCES
Input Capacitance
C ISS
940
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
Threshold Gate Charge
Gate ? to ? Source Charge
Gate ? to ? Drain Charge
Total Gate Charge
C OSS
C RSS
Q G(TOT)
Q G(TH)
Q GS
Q GD
Q G(TOT)
V GS = 0 V, f = 1.0 MHz, V DS = 12 V
V GS = 4.5 V, V DS = 15 V; I D = 30 A
V GS = 11.5 V, V DS = 15 V;
I D = 30 A
201
115
7.1
1.6
3.4
3.0
18.2
10
pF
nC
nC
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 4)
Turn ? On Delay Time
t d(ON)
10
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(OFF)
t f
V GS = 4.5 V, V DS = 15 V, I D = 15 A,
R G = 3.0 W
19.5
10.3
2.9
ns
3. Pulse Test: pulse width v 300 m s, duty cycle v 2%.
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD4815NHT4G | MOSFET N-CH 30V 35A DPAK |
| NTD4815NT4G | MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK |
| NTD4854NT4G | MOSFET N-CH 25V 15.7A DPAK |
| NTD4855NT4G | MOSFET N-CH 25V 14A DPAK |
| NTD4856NT4G | MOSFET N-CH 25V 13.3A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD4813NT4G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 40A 13MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4815N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 35 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK |
| NTD4815N-1G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 35A 15MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4815N-35G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 35A 15MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4815N-35G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET N 30V 3 I-PAK |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。