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参数资料
| 型号： | NTD4815NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 770pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 1.26W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTD4815N, NVD4815N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
1500
1400
1300
1200
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
10
V DS = 0 V
C iss
C rss
5
V GS
0
V GS = 0 V
C rss
5
V DS
10
15
20
T J = 25 ° C
C iss
C oss
25
30
6
5
4
3
2
1
0
0
V DS
Q 1
1
Q T
Q 2 V GS
I D = 30 A
T J = 25 ° C
2 3 4 5 6
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
7
16
14
12
10
8
6
4
2
0
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage vs. Total Charge
1000
100
t r
V DD = 15 V
I D = 30 A
V GS = 11.5 V
30
25
20
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
15
t d(off)
10
t d(on)
10
t f
5
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1000
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
70
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
60
I D = 11 A
100
10 m s
50
10
1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
100 m s
1 ms
10 ms
dc
40
30
20
10
0.1
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
0
25
50 75
100 125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD4854NT4G | MOSFET N-CH 25V 15.7A DPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTD4854N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 25 V, 128 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK |
| NTD4854N-1G | 功能描述:MOSFET PWR MSFT 25V 124A SINGLE N-CHNL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4854N-35G | 功能描述:MOSFET PWR MSFT 25V 124A SINGLE N-CHNL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4854NT4G | 功能描述:MOSFET PWR MSFT 25V 124A SINGLE N-CHNL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4854NT4H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
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