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参数资料
| 型号： | NTD4863NA-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 9.2A IPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.3 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 990pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 1.27W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD4863N
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
DRAIN--SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = 30 A
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.96
0.83
1.2
V
Reverse Recovery Time
t RR
10.9
Charge Time
Discharge Time
Reverse Recovery Charge
t a
t b
Q RR
V GS = 0 V, dIS/dt = 100 A/ m s,
I S = 30 A
5.4
5.5
2.7
ns
nC
PACKAGE PARASITIC VALUES
Source Inductance
Drain Inductance, DPAK
L S
L D
2.49
0.0164
nH
Drain Inductance, IPAK
Gate Inductance
L D
L G
T A = 25 ° C
1.88
3.46
Gate Resistance
R G
0.5
Ω
3. Pulse Test: pulse width ≤ 300 m s, duty cycle ≤ 2%.
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
3
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PDF描述 |
|---|---|
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| B32521C1104J189 | FILM CAP 0.1000UF 5% 100V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NTD4865N-1G | 功能描述:MOSFET PWR MSFT 25V 44A SINGLE N-CHNL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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