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参数资料
| 型号： | NTD4863NA-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 9.2A IPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.3 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 990pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 1.27W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD4863N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
60
10V
4.2 V
T J = 25 ° C
4V
60
V DS ≥ 10 V
50
40
30
3.8 V
3.6 V
3.4 V
50
40
30
20
10
3.2 V
3.0 V
20
10
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0
0
1
2
3
4
2.8 V
5
0
0
1
2
3
T J = --55 ° C
4
5
0.04
V DS , DRAIN--TO--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On--Region Characteristics
0.020
V GS , GATE--TO--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.03
I D = 30 A
T J = 25 ° C
0.018
0.016
0.014
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.012
0.02
0.01
0.010
0.008
0.006
0.004
0.002
V GS = 11.5 V
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
0
10
20
30
40
50
60
1.8
V GS , GATE--TO--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On--Resistance vs. Gate--to--Source
Voltage
10000
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On--Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
I D = 30 A
V GS = 10 V
1000
100
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
0.6
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
175
10
5
10
15
20
25
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On--Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN--TO--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain--to--Source Leakage Current
vs. Drain Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32521C1104J289 | FILM CAP 0.1000UF 5% 100V |
| PB-12611ZB | SWITCH PUSH SPDT 0.5VA 28V |
| 3700S-1-104L | POT 100K OHM 1/2" RD WW |
| ASG-P-V-A-200.000MHZ-T | OSC 200.00 MHZ 3.3V LVPECL SMD |
| B32521C1104J189 | FILM CAP 0.1000UF 5% 100V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD4863NA-35G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 25V 49A 0.0093R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4863NAT4G | 功能描述:MOSFET NFET 25V 49A 0.0093R DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4863NT4G | 功能描述:MOSFET NFET 25V 49A 0.0093R DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4865N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 25 V, 44 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK |
| NTD4865N-1G | 功能描述:MOSFET PWR MSFT 25V 44A SINGLE N-CHNL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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