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参数资料
| 型号： | NTD4863NAT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 9.2A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.3 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 990pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 1.27W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTD4863N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P (pk)
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
R θ JC (t) = r(t) R θ JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) -- T C = P (pk) R θ JC (t)
0.01
1.0E--05
1.0E--04
1.0E--03
1.0E--02
1.0E--01
1.0E+00
1.0E+01
t, TIME ( m s)
Figure 13. Thermal Response
ORDERING INFORMATION
Device
NTD4863NT4G
NTD4863N--1G
NTD4863N--35G
Package
DPAK
(Pb--Free)
IPAK
(Pb--Free)
IPAK Trimmed Lead
(3.5 ? 0.15 mm)
(Pb--Free)
Shipping ?
2500 / Tape & Reel
75 Units / Rail
75 Units / Rail
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ASG-D-X-B-125.000MHZ-T | OSC 125.00 MHZ 2.5V LVDS SMD |
| 3549S-1BD-103A | POT 10K OHM 7/8" RD WW |
| B82732F2601B001 | COIL CHOKE 68MH 600MA PIN |
| ASG-D-X-A-125.000MHZ-T | OSC 125.00 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| AML22CBX3BB | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 0.1A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD4863NT4G | 功能描述:MOSFET NFET 25V 49A 0.0093R DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4865N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 25 V, 44 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK |
| NTD4865N-1G | 功能描述:MOSFET PWR MSFT 25V 44A SINGLE N-CHNL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4865N-35G | 功能描述:MOSFET PWR MSFT 25V 44A SINGLE N-CHNL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4865NT4G | 功能描述:MOSFET PWR MSFT 25V 44A SINGLE N-CHNL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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