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参数资料
| 型号： | NTD4909N-35G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1314pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.37W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短截引线，IPak |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD4909N
TYPICAL CHARACTERISTICS
90
80
10 V
7 V 4.5 V
4.2 V V GS = 4.0 V
T J = 25 ° C
80
V DS = 10 V
70
60
3.8 V
3.6 V
60
50
40
30
20
3.4 V
3.2 V
3.0 V
2.8 V
40
20
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
10
0
0
1
2
3
2.6 V
2.4 V
4
0
2.0
2.5
T J = ? 55 ° C
3.0
3.5
4.0
4.5
0.020
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.014
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.018
0.016
0.014
0.012
0.010
0.008
0.006
I D = 30 A
T J = 25 ° C
0.013
0.012
0.011
0.010
0.009
0.008
0.007
0.006
0.005
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0.004
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
0.004
15
25
35
45
55
65
75
85
95
V GS (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. V GS
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
2.0
1.8
I D = 30 A
V GS = 10 V
10,000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.6
1.4
1000
T J = 125 ° C
1.2
1.0
0.8
100
T J = 85 ° C
0.6
? 50 ? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
10
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 5-1437580-0 | MSSA211NGRA=DP SLIDE W/ RA TER |
| FD1220016 | OSC 12.288MHZ 3.3V SMD |
| ASF42G04 | SWITCH SLIDE 4PDT 2POS WHITE T/H |
| 2TL1-5M | SWITCH TOGGLE TL ON-OFF-MOM DPDT |
| MSSA101EGRA | SWITCH SLIDE 3POS R/A BL MSSA-01 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD4909NA-1G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 41A 8 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4909NA-35G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 41A 8 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4909NAT4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 41A 8.0 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4909NAT4H | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| NTD4909NT4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 41A 8.0 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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