参数资料
型号: NTD4910N-35G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 6/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 37A IPAK TRIMMED
标准包装: 75
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 8.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 9 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 15.4nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1203pF @ 15V
功率 - 最大: 1.37W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 短截引线,IPak
供应商设备封装: I-Pak
包装: 管件
NTD4910N
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
10
1
0.1
0.01
Duty Cycle = 50%
20%
10%
5%
2%
1%
Single Pulse
0.001
0.000001
0.00001
Psi Tab ? A
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
PULSE TIME (sec)
Figure 13. FET Thermal Response
70
60
50
40
30
20
10
V DS = 1.5 V
0
0
10
20
30
40
50
60
ID (A)
Figure 14. GFS vs. ID
http://onsemi.com
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PDF描述
NTD4910N-1G MOSFET N-CH 30V 37A IPAK
NTD4965N-35G MOSFET N-CH 30V 68A IPAK-3
FD4800050 OSC 48MHZ 1.8V SMD
FCP1206C123G-H1 CAP FILM 0.012UF 16VDC 1206
FN6250028 OSC 62.5MHZ 3.3V SMD
相关代理商/技术参数
参数描述
NTD4910NT4G 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 37A 9.0MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4913N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 32 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK
NTD4913N-1G 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 32A 10.5MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4913N-35G 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 32A 10.5MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4913NT4G 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 32A 10.5MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube