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参数资料
| 型号： | NTD4910N-35G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 37A IPAK TRIMMED |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1203pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.37W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短截引线，IPak |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD4910N
PACKAGE DIMENSIONS
DPAK (SINGLE GUAGE)
CASE 369AA ? 01
ISSUE B
L3
1
E
b3
4
2
3
A
D
B
DETAIL A
A
C
c2
H
Z
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME
Y14.5M, 1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCHES.
3. THERMAL PAD CONTOUR OPTIONAL WITHIN
DIMENSIONS b3, L3 and Z.
4. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD
FLASH, PROTRUSIONS, OR BURRS. MOLD
FLASH, PROTRUSIONS, OR GATE BURRS SHALL
NOT EXCEED 0.006 INCHES PER SIDE.
5. DIMENSIONS D AND E ARE DETERMINED AT THE
OUTERMOST EXTREMES OF THE PLASTIC BODY.
6. DATUMS A AND B ARE DETERMINED AT DATUM
PLANE H.
INCHES
MILLIMETERS
L4
b2
e
b
0.005 (0.13)
M
C
c
L2
GAUGE
PLANE
L
L1
DETAIL A
ROTATED 90 5 CW
A1
H
C
SEATING
PLANE
DIM
A
A1
b
b2
b3
c
c2
D
E
e
H
L
L1
L2
L3
L4
Z
MIN MAX
0.086 0.094
0.000 0.005
0.025 0.035
0.030 0.045
0.180 0.215
0.018 0.024
0.018 0.024
0.235 0.245
0.250 0.265
0.090 BSC
0.370 0.410
0.055 0.070
0.108 REF
0.020 BSC
0.035 0.050
??? 0.040
0.155 ???
MIN MAX
2.18 2.38
0.00 0.13
0.63 0.89
0.76 1.14
4.57 5.46
0.46 0.61
0.46 0.61
5.97 6.22
6.35 6.73
2.29 BSC
9.40 10.41
1.40 1.78
2.74 REF
0.51 BSC
0.89 1.27
??? 1.01
3.93 ???
SOLDERING FOOTPRINT*
6.20 3.00
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
0.244
2.58
0.102
0.118
5.80
0.228
1.60
0.063
6.17
0.243
SCALE 3:1
mm
inches
*For additional information on our Pb ? Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD4910N-1G | MOSFET N-CH 30V 37A IPAK |
| NTD4965N-35G | MOSFET N-CH 30V 68A IPAK-3 |
| FD4800050 | OSC 48MHZ 1.8V SMD |
| FCP1206C123G-H1 | CAP FILM 0.012UF 16VDC 1206 |
| FN6250028 | OSC 62.5MHZ 3.3V SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD4910NT4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 37A 9.0MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4913N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 32 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK |
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| NTD4913N-35G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 32A 10.5MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4913NT4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 32A 10.5MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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