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参数资料
| 型号： | NTD60N02R-035 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK |
| 产品变化通告： | LTB Notification |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1330pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短截引线，IPak |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD60N02R
PACKAGE DIMENSIONS
3 IPAK, STRAIGHT LEAD
CASE 369AC?01
ISSUE O
NOTES:
1.. DIMENSIONING AND TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
B
C
2.. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. SEATING PLANE IS ON TOP OF
DAMBAR POSITION.
V
R
E
4. DIMENSION A DOES NOT INCLUDE
DAMBAR POSITION OR MOLD GATE.
INCHES
MILLIMETERS
DIM
MIN MAX
MIN MAX
A
A
B
C
0.235 0.245
0.250 0.265
0.086 0.094
5.97 6.22
6.35 6.73
2.19 2.38
SEATING PLANE
W
K
D
E
F
0.027 0.035
0.018 0.023
0.037 0.043
0.69 0.88
0.46 0.58
0.94 1.09
F
G
D
3 PL
J
H
G
H
J
K
R
V
0.090 BSC
0.034 0.040
0.018 0.023
0.134 0.142
0.180 0.215
0.035 0.050
2.29 BSC
0.87 1.01
0.46 0.58
3.40 3.60
4.57 5.46
0.89 1.27
0.13 (0.005) W
W
0.000 0.010
0.000 0.25
http://onsemi.com
7
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NTD60N02RT4G | 功能描述:MOSFET 25V 62A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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