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参数资料
| 型号： | NTD60N02RT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 62A 25V DPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1330pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTD60N02RT4GOSCT |
NTD60N02R
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P (pk)
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
R q JC (t) = r(t) R q JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) ? T C = P (pk) R q JC (t)
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t, TIME (s)
Figure 12. Thermal Response
ORDERING INFORMATION
Order Number
NTD60N02R
NTD60N02RG
NTD60N02RT4
NTD60N02RT4G
NTD60N02R?1
NTD60N02R?1G
NTD60N02R?35
NTD60N02R?35G
Package
DPAK?3
DPAK?3
(Pb?Free)
DPAK?3
DPAK?3
(Pb?Free)
DPAK?3 Straight Lead
DPAK?3 Straight Lead
(Pb?Free)
DPAK?3 Straight Lead
(3.5 ± 0.15 mm)
DPAK?3 Straight Lead
(3.5 ± 0.15 mm)
Shipping ?
75 Units / Rail
75 Units / Rail
2500 / Tape & Reel
2500 / Tape & Reel
75 Units / Rail
75 Units / Rail
75 Units / Rail
75 Units / Rail
(Pb?Free)
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 101TL2-5L | TL TOGGLE SW 1 POLE 3 POS |
| FXO-HC535-28.75 | OSC 28.75 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NTD60N03-1 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 60 Amps, 28 Volts |
| NTD60N03T4 | 功能描述:MOSFET N-CH 28V 60A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NTD6414AN | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 32 A, 37 mΩ |
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