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参数资料
| 型号： | NTD6414ANT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 32A DPAK |
| 产品目录绘图： | MOSFET DPAK Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 37 毫欧 @ 32A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1450pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 100W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTD6414ANT4GOSDKR |
NTD6414AN, NVD6414AN
TYPICAL CHARACTERISTICS
70
60
T J = 25 ° C
10 V
7.5 V
6.5 V
70
60
V DS w 10 V
50
40
30
6.0 V
5.5 V
50
40
30
20
5.0 V
20
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
10
0
0
1
2
3
4
4.5 V
5
10
0
2
3
4
T J = ? 55 ° C
5 6
7
8
0.07
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.10
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.06
0.05
0.04
I D = 32 A
T J = 25 ° C
0.08
0.06
0.04
V GS = 10 V
T J = 175 ° C
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0.03
0.02
T J = ? 55 ° C
0.02
5
6
7
8
9
10
0.00
10
15
20
25
30
35
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Region versus Gate Voltage
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
3
2.5
I D = 32 A
V GS = 10 V
10000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
2
1000
1.5
1
100
T J = 125 ° C
0.5
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
10
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD6415ANLT4G | MOSFET N-CH 100V 23A 56MOHM DPAK |
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| NTD6416AN-1G | MOSFET N-CH 100V 17A IPAK |
| NTD6416ANL-1G | MOSFET N-CH 100V 19A DPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTD6415AN | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 23 A, 55 mΩ |
| NTD6415AN-1G | 功能描述:MOSFET NFET IPAK 100V 22A 55MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD6415ANL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 23 A, 56 m??, Logic Level |
| NTD6415ANLT4G | 功能描述:MOSFET 100V HD3E NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD6415ANT4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 100V 25A 55MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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