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参数资料
| 型号： | NTD6415ANLT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 23A 56MOHM DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 23A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 52 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1024pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 83W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTD6415ANL, NVD6415ANL
10
1
0.1
0.01
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001 0.01
0.1
1
10
t, PULSE TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD6415ANT4G | MOSFET N-CH 100V 23A DPAK |
| NTD6416AN-1G | MOSFET N-CH 100V 17A IPAK |
| NTD6416ANL-1G | MOSFET N-CH 100V 19A DPAK |
| NTD65N03RT4G | MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK |
| NTD6600N-1G | MOSFET N-CH 100V 12A IPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD6415ANT4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 100V 25A 55MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD6416AN | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 17 A, 81 m |
| NTD6416AN-1G | 功能描述:MOSFET NFET IPAK 100V 15A 86MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD6416ANL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 19 A, 74 mΩ |
| NTD6416ANL-1G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 100V 15A 86MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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