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参数资料
| 型号： | NTD65N03R |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK |
| 产品变化通告： | LTB Notification |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.4 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1400pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD65N03R
2400
2000
1600
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
8
6
Q T
V GS
1200
C iss
4
Q 1
Q 2
800
C oss
2
400
C rss
I D = 30 A
T J = 25 ° C
0
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
1000
DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
70
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage versus Total Charge
V DS = 10 V
I D = 35 A
60
V GS = 0 V
100
V GS = 10 V
t f
t d(off)
t r
50
40
30
10
t d(on)
20
10
T J = 150 ° C
1
0
T J = 25 ° C
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
100
10 m s
100 m s
10
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
1 ms
10 ms
dc
PACKAGE LIMIT
1
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD60N02RG | MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK |
| NTD60N02R-35G | MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK |
| 252A154B50TB | POT JOYSTICK 150K OHM W/SWITCH |
| ASA-6.000MHZ-L-T | OSC 6.000 MHZ 3.3V SMD |
| B32560J6153K289 | FILM CAP 15NF 10% 400V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD65N03R-001 | 功能描述:MOSFET 25V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD65N03R-035 | 功能描述:MOSFET 25V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD65N03R-1 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 25 V, 65 A, Single N-Channel, DPAK |
| NTD65N03R-1G | 功能描述:MOSFET 25V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD65N03R-35 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 25 V, 65 A, Single N-Channel, DPAK |
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