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参数资料
| 型号： | NTD70N03R-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 10A IPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 24/Jan/2011 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13.2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1333pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.36W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTD70N03R-1GOS |
NTD70N03R
3000
2500
C ISS
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
8
QT
C RSS
2000
1500
C ISS
6
V DD = 10 V
1000
C OSS
4
Q GS
Q GD
500
0
C RSS
2
0
I D = 36 A
T J = 25 ° C
10
5
V GS
0
V DS
5
10
15
20
0
10 20
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
30
GATE-TO-SOURCE OR DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
Figure 8. Gate-To-Source and Drain-To-Source
Voltage versus Total Charge
80
70
60
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
50
40
10
t d(off)
t d(on)
30
1
t f
t r
V DS = 10 V
I D = 36 A
V GS = 10 V
20
10
0
1
10
100
0.4
0.6 0.8
1.0 1.2
1.4
1.6
100
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
10 m s
V SD , SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
120
10
1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
100 m s
1 ms
10 ms
dc
80
40
0
0.1
1
10
100
0
50
100
150
200
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
Tmb ( ° C)
Figure 12. Normalized Continuous Drain Current
as a function of Mounting Base Temperature
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NTD78N03 | 功能描述:MOSFET 25V 78A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD78N03-001 | 功能描述:MOSFET 25V 78A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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