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参数资料
| 型号： | NTD85N02RT4 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 24V 12A DPAK |
| 产品变化通告： | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 24V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.2 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17.7nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2050pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTD85N02RT4OS |
NTD85N02R
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
DRAIN?SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = 30 A
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.81
0.65
1.0
V
Reverse Recovery Time
t RR
37.5
Charge Time
Discharge Time
Reverse Recovery Charge
t a
t b
Q RR
V GS = 0 V, dIS/dt = 100 A/ m s,
I S = 20 A
16.8
20.7
27
ns
nC
PACKAGE PARASITIC VALUES
Source Inductance
Drain Inductance, DPAK
L S
L D
2.49
0.0164
nH
Drain Inductance, IPAK*
Gate Inductance
L D
L G
T A = 25 ° C
1.88
3.46
Gate Resistance
R G
1.2
W
*Assume standoff of 110 mils.
ORDERING INFORMATION
NTD85N02R
NTD85N02RG
NTD85N02R?001
NTD85N02R?1G
NTD85N02RT4
NTD85N02RT4G
Device
Package
DPAK
DPAK
(Pb?Free)
IPAK
IPAK
(Pb?Free)
DPAK
DPAK
Shipping ?
75 Units / Rail
800 / Tape & Reel
2500 / Tape & Reel
(Pb?Free)
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTF3055-160T3LF | MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 |
| A7NXK-3706G | DSUB CABL-AMN37K/ AE37G / X |
| GCM08DRUN | CONN EDGECARD 16POS DIP .156 SLD |
| ABM10-25.000MHZ-E20-T | CRYSTAL 25.000MHZ 10PF SMD |
| A7NXK-3706M | DSUB CABL-AMN37K/ AE37M / X |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD85N02RT4G | 功能描述:MOSFET 24V 85A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD95N02R | 功能描述:MOSFET 24V 95A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD95N02R-001 | 功能描述:MOSFET 24V 95A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD95N02R-001G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 95 Amps, 24 Volts N−Channel DPAK |
| NTD95N02R-1G | 功能描述:MOSFET 24V 95A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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