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参数资料
| 型号： | NTD95N02RT4 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 24V 12A DPAK |
| 产品变化通告： | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 24V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2400pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTD95N02R
TYPICAL CHARACTERISTICS
5000
4500
4000
3500
3000
2500
C ISS
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
C ISS
6
5
4
3
Q GS
V DS
Q T
Q GD
V GS
12
8
2000
C RSS
1500
C OSS
2
4
1000
500
0
10
5
V GS
0
V DS
5
10
15
C RSS
20
1
0
0
4
I D = 10 A
T J = 25 ° C
8 12 16 20
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
0
24
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
1000
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate?to?Source and Drain?to?Source
Voltage versus Total Charge
100
V DS = 10 V
I D = 30 A
V GS = 10 V
90
80
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
10
t r
t f
t d(off)
t d(on)
70
60
50
40
30
20
10
1
1
10
100
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
ORDERING INFORMATION
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
NTD95N02R
NTD95N02RG
NTD95N02R?001
NTD95N02R?001G
NTD95N02RT4
NTD95N02RT4G
Device
Package
DPAK
DPAK
(Pb?Free)
DPAK
DPAK
(Pb?Free)
DPAK
DPAK
Shipping ?
75 Units / Rail
75 Units / Rail
75 Units / Rail
75 Units / Rail
2500 Units / Tape & Reel
2500 Units / Tape & Reel
(Pb?Free)
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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