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参数资料
| 型号： | NTE999M |
| 厂商： | NTE Electronics, Inc. |
| 英文描述： | Integrared Circuit Programmable Precision Reference |
| 中文描述： | Integrared电路可编程精密参考 |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 25K |
| 代理商： | NTE999M |
Note 3: The dynamic impedance Z
ka
is defined as:
V
KA
I
K
|Z
ka
| =
When the device is programmed with two external resistors, R1 and R2, the total dynamic imped-
ance of the circuit is defined as:
|Z
ka
’
|
≈
|Z
ka
|
R1
R2
1 +
Pin Connection Diagram
1
2
3
4
Cathode
Anode
Anode
N.C.
8
7
6
5
Reference
Anode
Anode
N.C.
8
5
.256 (6.52) Max
.393 (10.0)
Max
1
4
.300 (7.62)
.300
(7.62)
.150
(3.81)
.070 (1.77) Min
.100 (2.54)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTE999 | Integrated Circuit Adjustable Precision Shunt Regulator |
| NTE999SM | Integrared Circuit Programmable Precision Reference |
| NTE99 | Silicon NPN Transistor Darlington w/Base-Emitter Speed-up Diode |
| NTES1N02 | Power MOSFET 50 mAmps, 20 Volts N-Channel(50mA,20V,N沟道增强型MOS场效应管) |
| NTES1P02 | Power MOSFET 50 mAmps, 20 Volts P-Channel(50mA,20V,P沟道增强型MOS场效应管) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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