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参数资料
| 型号： | NTES1N02 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Power MOSFET 50 mAmps, 20 Volts N-Channel(50mA,20V,N沟道增强型MOS场效应管) |
| 中文描述： | 50 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | SC-75, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 33K |
| 代理商： | NTES1N02 |
NTES1N02
http://onsemi.com
3
PACKAGE DIMENSIONS
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
MIN
0.70
1.40
0.60
0.15
1.00 BSC
---
0.10
1.45
0.10
0.50 BSC
MAX
0.80
1.80
0.90
0.30
MIN
0.028
0.055
0.024
0.006
0.039 BSC
---
0.004
0.057
0.004
0.020 BSC
MAX
0.031
0.071
0.035
0.012
INCHES
MILLIMETERS
0.10
0.25
1.75
0.20
0.004
0.010
0.069
0.008
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
M
0.20 (0.008)
B
–A–
–B–
S
D
G
3 PL
0.20 (0.008) A
K
J
L
C
H
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
3
2
1
SC–75 (SC–90, SOT–416)
CASE 463–01
ISSUE B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTES1P02 | Power MOSFET 50 mAmps, 20 Volts P-Channel(50mA,20V,P沟道增强型MOS场效应管) |
| NTE | Isolated 1W Single Output SM DC/DC Converters |
| NTF5P03T3 | Power MOSFET |
| NTF5P03T3D | Power MOSFET |
| NTF6P02T3 | Power MOSFET -6.0 Amps, -20 Volts P–Channel SOT–223(-6.0A,-20V，P通道，SOT-23封装的功率MOSFET) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTEV480 | 制造商:NTE 制造商全称:NTE Electronics 功能描述:Metal Oxide Varistors (MOV) |
| NTE-X | 制造商:MICRODC 制造商全称:MICRODC 功能描述:1W, FIXEDINPUT, ISOLATED SINGLEOUTPUTSMD DC-DCCONVERTER |
| NTF2955 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET |
| NTF2955PT1G | 功能描述:MOSFET PFET 60V 2.6A 0.14 SOT223 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTF2955T1 | 功能描述:MOSFET -60V 2.6A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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