- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18483 > NTGS3443T2G (ON Semiconductor)MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NTGS3443T2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP |
| 产品变化通告： | Wire Change 08/Oct/2008 Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 4.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 565pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTGS3443, NVGS3443
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1200
1000
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
5
4
QT
V GS
800
600
400
C iss
3
2
Q1
Q2
200
C oss
C rss
1
T J = 25 ° C
I D = ? 4.4 A
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
? V DS, DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
1.3
1.2
1.1
I D = ? 250 m A
4
3
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1
0.9
0.8
0.7
2
1
T J = 25 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
T J, JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 9. Gate Threshold Voltage Variation
with Temperature
http://onsemi.com
4
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32529C1274J189 | FILM CAP 0.2700UF 5% 100V |
| 3862C-162-502AL | POT 5.0K OHM 1/2" RD CERM |
| CM6350-334 | CHOKE COM MODE FERR 330.0UH SMD |
| B32520C6223K189 | FILM CAP 0.0220UF 10% 400V |
| 189444-1 | PNEU HEAD 12-10AWG COPALUM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTGS3446 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 5.1 Amps, 20 Volts N−Channel TSOP−6 |
| NTGS3446/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 5 Amps， 20 Volts |
| NTGS3446T1 | 功能描述:MOSFET 20V 5.1A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTGS3446T1G | 功能描述:MOSFET 20V 5.1A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTGS3447P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -12 V, -5.3 A, Single P-Channel, TSOP-6 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。