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参数资料
| 型号： | NTGS3443T2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP |
| 产品变化通告： | Wire Change 08/Oct/2008 Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 4.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 565pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTGS3443, NVGS3443
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
20
16
12
8
4
0
0.01
0.10
1.00
10.00
100.00
TIME (sec)
Figure 11. Single Pulse Power
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
0.01
1E ? 04
1E ? 03
1E ? 02
1E ? 01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
SQUARE WAVE PULSE DURATION (sec)
Figure 12. Normalized Thermal Transient Impedance, Junction ? to ? Ambient
http://onsemi.com
5
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PDF描述 |
|---|---|
| B32529C1274J189 | FILM CAP 0.2700UF 5% 100V |
| 3862C-162-502AL | POT 5.0K OHM 1/2" RD CERM |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTGS3446 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 5.1 Amps, 20 Volts N−Channel TSOP−6 |
| NTGS3446/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 5 Amps， 20 Volts |
| NTGS3446T1 | 功能描述:MOSFET 20V 5.1A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTGS3446T1G | 功能描述:MOSFET 20V 5.1A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTGS3447P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -12 V, -5.3 A, Single P-Channel, TSOP-6 |
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