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参数资料
| 型号： | NTHD3100CT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N+P 20V 2.9A CHIPFET |
| 产品目录绘图： | MOSFET ChipFET |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A，3.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 2.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 165pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTHD3100CT1GOSDKR |
NTHD3100C
TYPICAL N ? CHANNEL PERFORMANCE CURVES
(T J = 25 ° C unless otherwise noted)
400
300
C ISS
C RSS
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4
3
V DS
Q G
V GS
15
12
9
200
2
Q GS
Q GD
6
100
C OSS
1
I D = 2.9 A
T J = 25 ° C
3
0
10
5
V GS
0
V DS
5
10
15
20
0
0
0.5
1 1.5 2
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
2.5
0
3
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
10
V DS = 10 V
I D = 2.9 A
V GS = 4.5 V
t r
t d(off)
t d(on)
5
4
3
2
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
1
1
1
t f
10
100
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ECW-F4273RJB | CAP FILM 0.027UF 400VDC RADIAL |
| 34ASP32B4V2RT | TOG MINI SPDT O-O-O N VB LF |
| M2022TJG03 | SWITCH ROCKER DPDT 0.4VA 28V |
| 34ASP12B4V2RT | TOG MINI SPDT O-N-O N VB LF |
| IXTA08N100P | MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTHD3100CT3 | 功能描述:MOSFET 20V +3.9A/-4.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD3100CT3G | 功能描述:MOSFET 20V +3.9A/-4.4A Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| NTHD3101F | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET and Schottky Diode |
| NTHD3101FT1 | 功能描述:MOSFET -20V -4.4A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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