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参数资料
| 型号： | NTHD4102PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 2.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTHD4102PT1GOSDKR |
NTHD4102P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
10
9
8
7
6
5
4
V GS = ? 10 V to ? 2.8 V
T J = 25 ° C
? 2.4 V
9
8
7
6
5
4
3
2
? 1.8 V
3
2
125 ° C
1
0
0
1
2
3
4
5
6
? 1.6 V
? 1.4 V
7
8
1
0
0
0.5
25 ° C
1
1.5
T J = ? 55 ° C
2 2.5
3 3.5
4
0.2
0.18
0.16
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
1.5
1.3
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
V GS = ? 4.5 V
0.14
0.12
0.1
V GS = ? 2.5 V
1.1
0.08
0.06
0.04
0.02
V GS = ? 4.5 V
0.9
0.7
0
2
3
4
5
6
0.5
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
? I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
10000
V GS = 0 V
1000
100
10
1
T J = 125 ° C
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 4. On ? Resistance Variation with
Temperature
0.1
2
3
4
5
6
7
8
? V DS, DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
http://onsemi.com
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NTHD4102PT3G | 功能描述:MOSFET PFET 20V 4.8A 80M RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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