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参数资料
| 型号： | NTHD4P02F |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 英文描述： | Power MOSFET and Schottky Diode |
| 中文描述： | 功率MOSFET和肖特基二极管 |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | NTHD4P02F |
NTHD4P02F
http://onsemi.com
3
TYPICAL MOSFET PERFORMANCE CURVES
(T
J
= 25
°
C unless otherwise noted)
2 V
100
°
C
0
4
5
3
6
3
2
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
D
D
2
1
0
1
Figure 1. OnRegion Characteristics
0.5
4
2
1.5
2.5
3
2
1
1
0
3
Figure 2. Transfer Characteristics
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
0.1
3
5
0.3
0.2
0
Figure 3. OnResistance vs. GatetoSource
Voltage
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
R
D
D
D
D
Figure 4. OnResistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
I
D,
DRAIN CURRENT (AMPS)
50
0
25
25
1.4
1.2
1
0.8
0.6
50
125
100
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
T
J
= 25
°
C
0.5
2
4
T
C
= 55
°
C
I
D
= 2.1 A
T
J
= 25
°
C
75
150
I
D
= 2.1 A
V
GS
= 4.5 V
R
D
D
R
4
25
°
C
R
D
D
1.6
1.2 V
1
6
2
4
8
10
20
16
Figure 6. DraintoSource Leakage Current
vs. Voltage
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
12
V
GS
= 0 V
D
,
T
J
= 150
°
C
T
J
= 100
°
C
1.4 V
1.6 V
1.8 V
100
1000
10000
7
8
2.2 V
V
DS
≥
10 V
0.4
6
10
18
14
V
GS
= 2.4 V
V
GS
= 6 V to 3 V
0.1
0.125
0.15
0.175
0.2
0.225
0.5
1.5
2.5
3.5
0.25
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 2.5 V
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PDF描述 |
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