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参数资料
| 型号： | NTHD4P02FT1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | Power MOSFET and Schottky Diode |
| 中文描述： | 2.2 A, 20 V, 0.155 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | CASE 1206A-03, CHIPFET-8 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | NTHD4P02FT1 |
NTHD4P02F
http://onsemi.com
4
TYPICAL MOSFET PERFORMANCE CURVES
(T
J
= 25
°
C unless otherwise noted)
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
3
6
9
12
15
0
V
DS
= 0 V
V
GS
= 0 V
5
10
10
600
300
200
100
0
20
GATETOSOURCE OR DRAINTOSOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
C
Figure 8. GatetoSource and
DraintoSource Voltage vs. Total Charge
T
J
= 25
°
C
C
OSS
C
ISS
C
RSS
500
R
G
, GATE RESISTANCE ( )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
t
5
0
400
V
GS
V
DS
15
0.9
0.5
0
0.3
V
SD
, SOURCETODRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
S
,
V
GS
= 0 V
T
J
= 25
°
C
2.5
0.7
0.5
1
1.5
2
V
GS
Q
G
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
G
G
I
D
= 2.1 A
T
J
= 25
°
C
D
D
Q
GD
Q
GS
V
DS
Q
T
1
10
100
1000
1
10
100
t
d(OFF)
t
d(ON)
t
f
t
r
V
DD
= 16 V
I
D
= 2.1 A
V
GS
= 4.5 V
t, TIME (s)
Figure 11. Thermal Response
r
T
1.0
0.1
0.01
1.0E03
0.2
D = 0.5
0.05
0.01
SINGLE PULSE
0.1
1.0E02
1.0E01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
0.02
0.0175
0.0710
0.2706
0.5776
0.7086
107.55 F
1.7891 F
0.3074 F
0.0854 F
0.0154 F
Chip
Ambient
Normalized to ja at 10s.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTHD4P02FT1G | Power MOSFET and Schottky Diode |
| NTHD5902T1 | Power MOSFET Dual N-Channel ChipFET TM(双N沟道ChipFET TM功率MOSFET) |
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| NTHD5903T1-D | Circular Connector; Body Material:Aluminum; Series:PT01; Number of Contacts:4; Connector Shell Size:8; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Cable Receptacle; Circular Contact Gender:Socket; Insert Arrangement:8-4 |
| NTHD5903 | Power MOSFET Dual P-Channel 2.2 A, 20 V(2.2A，20V，双P通道的功率MOSFET) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NTHD5902T1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET Dual N-Channel ChipFET? |
| NTHD5903T1 | 功能描述:MOSFET -20V -3A Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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