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参数资料
| 型号： | NTHS2101PT1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | −8.0 V, −7.5 A P−Channel ChipFET |
| 中文描述： | 5.4 A, 8 V, 0.025 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | CASE 1206A-03, CHIPFET-8 |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | NTHS2101PT1 |
NTHS2101P
http://onsemi.com
4
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
4
3
2
1
0
0
3
6
9
1000
100
1
1
10
V
DD
= 6.4 V
I
D
= 5.4 A
V
GS
= 4.5 V
Q
G
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 7. GatetoSource and
DraintoSource Voltage vs. Total Charge
R
G
, GATE RESISTANCE ( )
Figure 8. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
G
,
t
100
5
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
V
SD
, SOURCETODRAIN VOLTAGE (V)
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current
V
GS
= 0 V
T
J
= 25
°
C
S
,
12
15
5
I
D
= 5.4 A
T
J
= 25
°
C
10
Q
T
t
d(off)
t
d(on)
t
f
t
r
4
8
7
5
3
1
0
D
,
V
GS
2
4
Q1
Q2
6
2
1
0.1
0.01
10
10
10
4
3
2
1
10
1
10
100
600
SQUARE WAVE PULSE DURATION (sec)
Duty Cycle = 0.5
0.2
Single Pulse
0.1
0.05
0.02
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 80
°
C/W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t1
t2
PDM
Notes:
t1
t2
Figure 10. Normalized Thermal Transient Impedance, JunctiontoAmbient
N
T
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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