参数资料
型号: NTJS3157NT1G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363
产品目录绘图: MOSFET SOT-363 Pkg
标准包装: 10
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 60 毫欧 @ 4A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 400mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 500pF @ 10V
功率 - 最大: 1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装: SOT-363
包装: 标准包装
产品目录页面: 1558 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: NTJS3157NT1GOSDKR
NTJS3157N
ORDERING INFORMATION
Device
NTJS3157NT1G
NTJS3157NT2G
Package
SC ? 88
(Pb ? Free)
SC ? 88
Shipping ?
3000 Tape & Reel
3000 Tape & Reel
(Pb ? Free)
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
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参数描述
NTJS3157NT2 功能描述:MOSFET 20V 4A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTJS3157NT2G 功能描述:MOSFET 20V 4A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTJS3157NT4 功能描述:MOSFET 20V 4A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTJS3157NT4G 功能描述:MOSFET 20V 4A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTJS4151P 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Trench Power MOSFET −20 V, −4.2 A, Single P−Channel, SC−88