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参数资料
| 型号： | NTJS4151PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3.3A SC-88 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-363 Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 3.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 850pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-88 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTJS4151PT1GOSDKR |
NTJS4151P
5
4
3
V GS = ? 1.8 V
V GS = ? 2.4 V
V GS = ? 2.0 V
T J = 25 ° C
V GS = ? 1.6 V
4
V DS w ? 10 V
V GS = ? 2.8 V to 6.0 V
3
2
1
V GS = ? 1.0 V
.
V GS = ? 1.4 V
V GS = ? 1.2 V
2
1
0
0
2
4
6
8
0
0
1
2
3
4
0.5
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.6
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. On ? Region Characteristics
0.4
I D = ? 3.3 A
T J = 25 ° C
0.5
T J = 25 ° C
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.3
0.2
0.1
0
V GS = ? 1.8 V
V GS = ? 2.5 V
V GS = ? 4.5 V
0
2
4
6
1
2
3
4
5
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance versus
Gate ? to ? Source Voltage
100000
? I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1.6
1.4
I D = ? 3.3 A
V GS = 4.5 V
10000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.2
1
0.8
0.6
1000
100
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
0
4
8
12
16
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ACA5-20PC-5-AC1-RL-C | AMMETER LED 85-264VAC 200A RED |
| ACA5-20PC-9-AC1-RL-C | AMMETER LED 85-264VAC 500A RED |
| DMS-20PC-4/20S-C | METER LED SELF-PWR 3.5DIG RED |
| DMS-30PC-1-BS-C | DPM LED MINI 2VDC 3.5DIGIT BLU |
| CAB-TBHHS | CABINET ASSORT TBH + HEATSINKS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTJS4160N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters |
| NTJS4160NT1G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 3.2A 60MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJS4405N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 25 V, 1.2 A, Single, N−Channel, SC−88 |
| NTJS4405NT1 | 功能描述:MOSFET 25V 1.2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJS4405NT1G | 功能描述:MOSFET 25V 1.2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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