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参数资料
| 型号： | NTJS4151PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3.3A SC-88 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-363 Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 3.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 850pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-88 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTJS4151PT1GOSDKR |
NTJS4151P
1250
5
15
1000
C ISS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
4
V DS
Q T
V GS
12
750
500
3
2
9
6
250
1
Q gs
Q gd
I D = ? 3.3 A
T J = 25 ° C
3
0
0
0
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
12
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
10000
Figure 7. Capacitance Variation
3
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
t f
t d(off)
2.5
2
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
1000
t r
t d(on)
1.5
1
0.5
100
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
Gate Resistance
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NTJS4405NT1G | 功能描述:MOSFET 25V 1.2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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