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参数资料
| 型号： | NTLJD3115PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CHAN DUAL 20V 6-WDFN |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 531pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 710mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTLJD3115PT1GOSDKR |
NTLJD3115P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
5
4.5
4
3.5
3
V GS = ? 1.9 V to ? 6 V
T J = 25 ° C
? 1.8 V
? 1.7 V
5
4
3
V DS ≥ 10 V
2.5
? 1.6 V
2
1.5
1
? 1.5 V
? 1.4 V
2
1
T J = 25 ° C
0.5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
? 1.3 V
? 1.2 V
4 4.5
0
0
T J = 125 ° C
0.5 1
T J = ? 55 ° C
1.5
2
2.5
3
0.1
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS = ? 4.5 V
0.15
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
T J = 25 ° C
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.1
0.05
V GS = ? 2.5 V
V GS = ? 4.5 V
0.04
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
? I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus Drain Current
? I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1.6
1.4
I D = ? 2.2 A
V GS = ? 4.5 V
10000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.2
1000
1.0
0.8
100
T J = 100 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 445C3XB24M57600 | CRYSTAL 24.576000 MHZ 13PF SMD |
| B32653A1473J000 | CAP FILM 0.047UF 1.6KVDC RADIAL |
| 34BWSP11B1M2RT | TOG MINI S SPDT O-N-O T PC LF |
| 445C3XB24M00000 | CRYSTAL 24.000000 MHZ 13PF SMD |
| JWM11RA2H | SWITCH ROCKER SPST 10A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTLJD3115PTAG | 功能描述:MOSFET PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLJD3119C | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 20 V/−20 V, 4.6 A/−4.1 A, uCool Complementary, 2x2 mm, WDFN Package |
| NTLJD3119CTAG | 功能描述:MOSFET COMP 2X2 20V 3.8A 100mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLJD3119CTBG | 功能描述:MOSFET COMP 2X2 20V 3.8A 100mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLJD3181PZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET −20 V, −4.0 A, Cool Dual P−Channel, ESD, 2x2 mm WDFN Package |
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