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参数资料
| 型号： | NTLUD3191PZTBG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1.7A DUAL 6UDFN |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 250 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.5nc @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 160pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-UDFN（1.6x1.6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLUD3191PZ
TYPICAL CHARACTERISTICS
250
225
200
175
150
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
f = 1 MHz
5
4
3
V DS
Q T
V GS
12
10
8
125
6
100
75
2
Q GS
Q GD
4
I D = ? 1.5 A
50
25
0
0
C oss
C rss
4
8
12
16
20
1
0
0
0.25 0.5 0.75
1
1.25 1.5 1.75
V GS = ? 10 V
T J = 25 ° C
2 2.25 2.5
2
0
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
t d(off)
t f
10
V GS = ? 4.5 V
V DD = ? 10 V
I D = ? 1.5 A
t r
1.0
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
t d(on)
10
1
10
100
0.1
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4
0.85
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
175
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
0.80
0.75
0.70
0.65
0.60
0.55
0.50
0.45
0.40
I D = ? 250 m A
150
125
100
75
50
25
0.35
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
0
150 0.0000001 0.00001 0.0001 0.001 0.01
0.1
1
10
100 1000
T J , TEMPERATURE ( ° C)
Figure 11. Threshold Voltage
http://onsemi.com
4
SINGLE PULSE TIME (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FVXO-PC53BR-921.6 | OSC 921.6 MHZ 3.3V PECL SMD |
| FVXO-LC73BR-108 | OSC 108 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| B32653A1792J | FILM CAP 7.9NF 5% 1600V MKP |
| UPA603T-T1-A | MOSFET P-CH DUAL 50V SC-59 |
| FVXO-PC73BR-184.32 | OSC 184.32 MHZ 3.3V PECL SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTLUD3A260PZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET a??20 V, a??2.1 A,Cool Dual Pa??Channel, ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN Package |
| NTLUD3A260PZTAG | 功能描述:IGBT 晶体管 POWER MOSFET 20V 2A 200 M RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| NTLUD3A260PZTBG | 功能描述:IGBT 晶体管 POWER MOSFET 20V 2A 200 M RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| NTLUD3A50PZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:a??20 V, a??5.6 A, Cool Dual Pa??Channel, 2.0x2.0x0.55 mm UDFN Package |
| NTLUD3A50PZTAG | 功能描述:MOSFET PFET UDFN 20V 5.6A 50MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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