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参数资料
| 型号： | NTLUS3192PZTBG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3.4A SGL 6UDFN |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 24/Jan/2011 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 86 毫欧 @ 3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 450pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 600mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-UDFN（1.6x1.6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLUS3192PZ
TYPICAL CHARACTERISTICS
700
600
500
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
f = 1 MHz
5
4
V DS
Q T
V GS
12
10
8
400
3
6
Q GD
V DS = ? 10 V
300
200
100
0
0
2
C oss
C rss
4
6
8
10
12
14
16
18
20
2
1
0
0
Q GS
T J = 25 ° C
I D = ? 3.0 A 2
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
4
0
1000
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
10
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
V GS = ? 4.5 V
V DD = ? 10 V
I D = ? 3.0 A
t d(off)
T J = 150 ° C
100
t f
t r
t d(on)
1
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
10
1
10
100
0.1
0.2
0.4
0.6
T J = ? 55 ° C
0.8
1.0
1.2
1.4
0.80
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
225
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
0.75
0.70
0.65
0.60
0.55
0.50
0.45
0.40
0.35
I D = ? 250 m A
200
175
150
125
100
75
50
25
0.30
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
0
1.E ? 05
1.E ? 03
1.E ? 01
1.E+01
1.E+03
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 11. Threshold Voltage
http://onsemi.com
4
SINGLE PULSE TIME (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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