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参数资料
| 型号： | NTLUS3A18PZTBG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 8.2A 6UDFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | µCool™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2240pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.7W |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
NTLUS3A18PZ
TYPICAL CHARACTERISTICS
4000
5
18
3600
3200
2800
2400
2000
1600
1200
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
f = 1 MHz
4
3
2 Q GS
V DS
Q GD
Q T
V GS
16
14
12
10
8
6
800
400
0
0
C rss
2
C oss
4
6
8
10
12
14
16
18
20
1
0
0
5
10
15
20
V DS = ? 15 V
I D = ? 4.0 A
T J = 25 ° C
25
4
2
0
30
1000.0
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
t d(off)
10.0
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100.0
10.0
t f
t r
t d(on)
1.0
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
1.0
1
V GS = ? 4.5 V
V DD = ? 15 V
I D = ? 4.0 A
10
100
0.1
0.3
0.4
0.5
0.6
T J = ? 55 ° C
0.7 0.8
0.9
1.0
0.95
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
225
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
0.85
0.75
0.65
0.55
0.45
0.35
0.25
I D = ? 250 m A
200
175
150
125
100
75
50
25
0.15
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
10 m
1m
100m
10
1000
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 11. Threshold Voltage
http://onsemi.com
4
SINGLE PULSE TIME (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTLUS3A39PZTAG | 功能描述:MOSFET T4S PCH 20/8V IN 1.6X1.6 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLUS3A39PZTBG | 功能描述:MOSFET T4S PCH 20/8V IN 1.6X1.6 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLUS3A40PZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 20 V, 9.4Cool Single P Channel ESD 2.0x2.0x0.55 mm UDFNPackage |
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