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参数资料
| 型号： | NTLUS3A39PZTAG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 5.2A 6UDFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 39 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 920pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 600mW |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
NTLUS3A39PZ
TYPICAL CHARACTERISTICS
20
20
18
16
14
? 4.5 to ? 3.5 V
? 3.0 V
? 2 V
? 1.8 V
18
16
14
V DS ≤ ? 10 V
12
12
10
8
6
4
2
V GS = ? 2.5 V
? 1.5 V
10
8
6
4
2
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
T J = ? 55 ° C
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0.12
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.120
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.11
0.10
T J = 25 ° C
I D = ? 4.0 A
0.100
? 1.5 V
T J = 25 ° C
0.09
0.08
0.07
0.080
? 1.8 V
0.06
0.05
0.060
? 2.5 V
0.04
0.03
0.040
V GS = ? 4.5 V
0.02
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0.020
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
1.6
? V GS , GATE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
100000
? I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.5
1.4
V GS = ? 4.5 V
I D = ? 4.0 A
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
10000
1000
100
T J = 125 ° C
T J = 85 ° C
50
25
0 25 50 75 100
125
150
2
4 6 8 10 12 14 16 18
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FK2500019 | OSC 25MHZ 3.3V SMD |
| SLB1381R5 | SWITCH MINI SLIDE |
| MS23ASG30 | SWITCH SLIDE DPDT GOLD RT ANG PC |
| FDA620005 | OSC 106.25MHZ 2.5V SMD |
| GH36WW10001 | INSTRUMENT GRADE SLIDE SWITCH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTLUS3A39PZTBG | 功能描述:MOSFET T4S PCH 20/8V IN 1.6X1.6 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLUS3A40PZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 20 V, 9.4Cool Single P Channel ESD 2.0x2.0x0.55 mm UDFNPackage |
| NTLUS3A40PZTAG | 功能描述:IGBT 晶体管 T4 20/8 PCH 2X2 8 CHANNEL RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| NTLUS3A40PZTBG | 功能描述:IGBT 晶体管 T4 20/8 PCH UDFN SING RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| NTLUS3A90PZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:a??20 V, a??5.0 A, Cool Single Pa??Channel, ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN Package |
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