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参数资料
| 型号： | NTLUS3A40PZTAG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | T4 20/8 PCH 2X2 UDFN SING |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | µCool™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 29 毫欧 @ 6.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2600pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-uDFN（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTLUS3A40PZTAG-ND NTLUS3A40PZTAGOSTR |
NTLUS3A40PZ
TYPICAL CHARACTERISTICS
4000
3600
3200
2800
2400
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
f = 1 MHz
5
4
3
V DS
Q T
V GS
20
16
12
2000
1600
1200
2
Q GS
Q GD
8
800
400
0
0
C rss
2
C oss
4
6
8
10
12
14
16
18
20
1
0
0
5
10
15
20
V DS = ? 15 V
I D = ? 4.0 A
T J = 25 ° C
25
4
0
30
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
1000
100
V GS = ? 4.5 V
V DD = ? 15 V
I D = ? 4.0 A
t d(off)
t f
t r
10
10
t d(on)
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
1
1
10
100
1
0.2
0.4
0.6
T J = ? 55 ° C
0.8 1.0
1.2
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
0.85
0.75
0.65
0.55
0.45
0.35
0.25
I D = ? 250 m A
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0.15
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
0
1.E ? 05
1.E ? 03
1.E ? 01
1.E+01
1.E+03
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 11. Threshold Voltage
http://onsemi.com
4
SINGLE PULSE TIME (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 357LB3I038M8800 | OSC VCXO 38.8800 MHZ 5X7MM SMD |
| 357LB3I006M1760 | OSC VCXO 6.1760 MHZ 5X7MM SMD |
| 357LB3I001M5440 | OSC VCXO 1.5440 MHZ 5X7MM SMD |
| 210-5MSTF | SWITCH RAISED ACTUATOR 5 SEC |
| 210-5LPSTF | SWITCH SPST 5 SEC LOW PROFILE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTLUS3A40PZTBG | 功能描述:IGBT 晶体管 T4 20/8 PCH UDFN SING RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| NTLUS3A90PZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:a??20 V, a??5.0 A, Cool Single Pa??Channel, ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN Package |
| NTLUS3A90PZTAG | 功能描述:IGBT 晶体管 POWER MOSFET 20V 3A 60 MO RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| NTLUS3A90PZTBG | 功能描述:IGBT 晶体管 POWER MOSFET 20V 3A 60 MO RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| NTLUS4195PZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET −30 V, −4.0 A, Cool Single P−Channel, ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN Package |
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