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参数资料
| 型号： | NTMFS4823NT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6.9A SO-8FL |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Jan/2012 |
| 标准包装： | 1,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.6 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 795pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 860mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMFS4823N
TYPICAL CHARACTERISTICS
1400
1200
1000
800
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
12
10
8
6
QT
V GS
600
400
C oss
4
Q gs
Q gd
200
0
0
C rss
5
10
15
20
25
30
2
0
0
2
4
6
8
10
I D = 30 A
T J = 25 ° C
12
14
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
30
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
V DD = 15 V
I D = 30 A
V GS = 11.5 V
t r
25
20
15
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t d(off)
t d(on)
t f
10
5
1
1
10
100
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
100
10
R q JA = 22 ° C/W
Single Pulse
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
30
25
20
I D = 24 A
1 T C = 25 ° C
15
0.1
Surface ? mounted on FR4 board
using 1 in sq. pad size, 1 oz Cu, t < 10 s
R DS(on) Limit
Thermal Limit
dc
10
5
0.01
0.1
1
Package Limit
10
100
0
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMFS4825NFET3G | MOSFET N-CH 30V 171A SO-8FL |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS4825NFET1G | 功能描述:MOSFET NFETFL 30V 171A 2mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4825NFET3G | 功能描述:MOSFET NFETFL 30V 171A 2mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4826NET1G | 功能描述:MOSFET NFETFL 30V 66A 5.9mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4826NET3G | 功能描述:MOSFET NFETFL 30V 66A 5.9mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4827NET1G | 功能描述:MOSFET NFETFL 30V 58.5A 6.9mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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