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参数资料
| 型号： | NTMFS4846NT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 12.7A SO-8FL |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
| 标准包装： | 5,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.4 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 32nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3250pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 890mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMFS4846N
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 4)
Turn ? On Delay Time
t d(ON)
10.7
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(OFF)
t f
V GS = 11.5 V, V DS = 15 V,
I D = 15 A, R G = 3.0 W
18.9
34.2
7.1
ns
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = 30 A
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.8
0.66
1.0
V
Reverse Recovery Time
t RR
21.6
Charge Time
Discharge Time
Reverse Recovery Charge
t a
t b
Q RR
V GS = 0 V, dI S /dt = 100 A/ m s,
I S = 30 A
11.4
10.2
8.5
ns
nC
PACKAGE PARASITIC VALUES
Source Inductance
L S
0.65
nH
Drain Inductance
Gate Inductance
L D
L G
T A = 25 ° C
0.005
1.84
Gate Resistance
R G
0.5
1.4
2.2
W
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.
3. Pulse Test: pulse width v 300 m s, duty cycle v 2%.
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
TYPICAL CHARACTERISTICS
200
180
160
140
120
10 V
5.0 V
4.5 V
V GS = 4.2 V
T J = 25 ° C
4.0 V
3.8 V
3.6 V
160
140
120
100
V DS ≥ 10 V
100
3.4 V
80
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
3.2 V
3.0 V
2.8 V
2.6 V
6
60
40
20
0
0
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
1 2
T J = ? 55 ° C
3 4
5
6
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
http://onsemi.com
3
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
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PDF描述 |
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