- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录491 > NTMFS4851NT3G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTMFS4851NT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
| 标准包装： | 5,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.9 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1850pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 870mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMFS4851N
TYPICAL CHARACTERISTICS
1000
100
V DS = 15 V
ID = 15 A
V GS = 11.5 V
30
28
26
24
22
20
18
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
1
1
t d(off)
t r
t d(on)
t f
10
100
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
100
10
V GS = 20 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
10 m s
100 m s
1 ms
110
100
90
80
70
60
50
ID = 27 A
10 ms
40
1
0.1
0.1
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
1
10
dc
100
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
120
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
100
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
100
125 ° C
100 ° C
25 ° C
80
60
40
20
V DS = 1.5 V
10
0
0
10
20
30
40
50
60 70
80
90 100 110 120
1
0.1
1
10
100
1000
10,000
DRAIN CURRENT (A)
Figure 13. g FS vs. Drain Current
http://onsemi.com
5
PULSE WIDTH ( m s)
Figure 14. Avalanche Characteristics
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMFS4852NT1G | MOSFET N-CH 30V 16A SO8 FL |
| NTMFS4854NST1G | MOSFET N-CH 25V 15.2A SO-8FL |
| NTMFS4897NFT1G | MOSFET N-CH 30V SO-8FL |
| NTMFS4899NFT3G | MOSFET N-CH 30V 10.4A SO-8FL |
| NTMFS4921NT1G | MOSFET N-CH 30V 8.8A SO8 FL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS4852N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 155 A, Single N−Channel, SO−8 FL |
| NTMFS4852NT1G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V 155A 2.1MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4852NT3G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V 155A 2.1MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4854NST1G | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4854NST3G | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。