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参数资料
| 型号： | NTMFS4854NST3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 15.2A SO-8FL |
| 标准包装： | 5,000 |
| 系列： | SENSEFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.5 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 66nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4830pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | SO-8FL |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMFS4854NS
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
50% (DUTY CYCLE)
10
1.0
0.1
20%
10%
5.0%
2.0%
1.0%
SINGLE PULSE
R q JA = 54 ° C/W
0.01
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1.0
10
100
1000
t, TIME (s)
Figure 12. FET Thermal Response
http://onsemi.com
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMP1P68K-F | CAP FILM 0.68UF 100VDC AXIAL |
| MRF6S21100HSR3 | MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780S |
| 3266X-1-200LF | TRIMMER 20 OHM 0.25W TH |
| 3266W-1-204LF | TRIMMER 200K OHM 0.25W TH |
| 3266W-1-254LF | TRIMMER 250K OHM 0.25W TH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS4897NF | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 171 A, Single N−Channel, SO−8 FL |
| NTMFS4897NFT1G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4897NFT3G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4898NF | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 117 A, Single N−Channel, SO−8FL |
| NTMFS4898NF_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 117 A, Single N−Channel, SO−8FL |
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