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参数资料
| 型号： | NTMFS4899NFT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V SO-8FL |
| 产品目录绘图： | SO8 FL |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1600pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 920mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTMFS4899NFT1GOSDKR |
NTMFS4899NF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 4)
Turn ? On Delay Time
t d(ON)
8.8
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(OFF)
t f
V GS = 10 V, V DS = 15 V,
I D = 15 A, R G = 3.0 W
18.5
25.9
2.5
ns
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = 2.0 A
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.45
0.43
0.70
V
Reverse Recovery Time
t RR
19
Charge Time
Discharge Time
Reverse Recovery Charge
t a
t b
Q RR
V GS = 0 V, dI S /dt = 100 A/ m s,
I S = 30 A
9.2
9.8
5.7
ns
nC
PACKAGE PARASITIC VALUES
Source Inductance
L S
0.38
nH
Drain Inductance
Gate Inductance
L D
L G
T A = 25 ° C
0.005
1.84
Gate Resistance
R G
1.5
2.4
W
3. Pulse Test: pulse width v 300 m s, duty cycle v 2%.
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LFCL0500ZC8 | CABLE LIMITER 500MCM 600V CU |
| BMK7A000 | BASE MOUNT MLPS |
| LFCL0500ZC1 | CABLE LIMITER 500MCM 600V CU |
| LFCL0500ZC6 | CABLE LIMITER 500MCM 600V CU |
| 7W-50.000MBB-T | OSC 50.000 MHZ 3.3V SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS4899NFT3G | 功能描述:IGBT 晶体管 NFET SO8FL 30V 75A 5MOHM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| NTMFS4921N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 58.5 A, Single N−Channel, SO−8 FL |
| NTMFS4921NT1G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4921NT3G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4922NET1G | 功能描述:MOSFET NFET S08FL 30V 147A 2MOH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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