- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录491 > NTMFS4923NET3G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 91A SO-8FL Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTMFS4923NET3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 91A SO-8FL |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Jan/2012 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.3 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4850pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 930mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTMFS4923NET3GOSDKR |
NTMFS4923NE
TYPICAL CHARACTERISTICS
1000
100
10
1
0.1
Duty Cycle = 50%
20%
10%
5%
2%
1%
0.01
Single Pulse
0.000001 0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
PULSE TIME (sec)
Figure 13. Thermal Response
70
60
50
40
30
20
10
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
ID (A)
Figure 14. GFS vs. ID
http://onsemi.com
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMFS4925NET1G | MOSFET N-CH 30V 48A SO8-FL |
| NTMFS4925NT1G | MOSFET N-CH 30V 9.7A SO-8FL |
| NTMFS4926NET1G | MOSFET N-CH 30V 44A SO8-FL |
| NTMFS4926NT1G | MOSFET N-CH 30V 9A SO-8FL |
| NTMFS4927NCT3G | MOSFET N-CH 30V SO8-FL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS4925N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 48 A, Single Na??Channel, SOa??8 FL |
| NTMFS4925NET1G | 功能描述:MOSFET NFET S08FL 30V 48A 6MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4925NET3G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 48 A, Single Na??Channel, SOa??8 FL |
| NTMFS4925NT1G | 功能描述:MOSFET TRENCH 3.1 30V 6 M Ohm NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4925NT3G | 功能描述:MOSFET TRENCH 3.1 30V 6 Ohm NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。