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参数资料
| 型号： | NTMFS4925NET1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 48A SO8-FL |
| 标准包装： | 1,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | * |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1264pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 920mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMFS4925NE
TYPICAL CHARACTERISTICS
120
110
10 V
4.5 V
T J = 25 ° C
4.0 V
120
110
T J = ? 55 ° C
100
90
100
90
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
80
70
60
50
40
30
20
3.5 V
3.0 V
80
70
60
50
40
30
20
V DS = 10 V
10
0
0
1
2
3
V GS = 2.5 V
4
5
10
0
1
2
3
4
5
0.020
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.011
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.018
0.016
0.014
0.012
0.010
0.008
0.006
0.004
0.002
I D = 30 A
0.010
0.009
0.008
0.007
0.006
0.005
0.004
T = 25 ° C
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0
3
4
5
6
7
8
9
10
0.003
10 20
30
40
50
60
70
80
90 100 110 120
1.7
V GS (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. V GS
10,000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
I D = 30 A
V GS = 10 V
1,000
100
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
T J = 85 ° C
0.7
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
5
10
15
20
V GS = 0 V
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMFS4925NT1G | MOSFET N-CH 30V 9.7A SO-8FL |
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| NTMFS4926NT1G | MOSFET N-CH 30V 9A SO-8FL |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS4925NET3G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 48 A, Single Na??Channel, SOa??8 FL |
| NTMFS4925NT1G | 功能描述:MOSFET TRENCH 3.1 30V 6 M Ohm NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4925NT3G | 功能描述:MOSFET TRENCH 3.1 30V 6 Ohm NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4926N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 44 A, Single Na??Channel, SOa??8 FL |
| NTMFS4926NET1G | 功能描述:MOSFET NFET S08FL 30V 44A 7MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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