- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录491 > NTMFS4926NT1G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 9A SO-8FL Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTMFS4926NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 9A SO-8FL |
| 标准包装： | 1,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1004pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 920mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTMFS4926NT1G-ND NTMFS4926NT1GOSTR |
NTMFS4926N
TYPICAL CHARACTERISTICS
1400
1200
1000
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
11
10
9
8
QT
800
7
6
600
C oss
5
4
Qgs
Qgd
T J = 25 ° C
400
200
0
0
5
C rss
10
15
20
25
30
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
V GS = 10 V
V DD = 15 V
I D = 30 A
14 16
18
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
30
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
V GS = 10 V
V DD = 15 V
I D = 15 A
t d(off)
t f
25
20
V GS = 0 V
t r
15
10
t d(on)
10
5
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
22
20
I D = 21 A
100
10
10 m s
100 m s
18
16
14
12
1
0 V < V GS < 10 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
1 ms
10 ms
10
8
6
0.1
0.01
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
0.01 0.1
1
10
dc
100
4
2
0
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMFS4927NCT3G | MOSFET N-CH 30V SO8-FL |
| NTMFS4933NT1G | MOSFET N-CH 30V 232A SO8 FL |
| NTMFS4934NT1G | MOSFET N-CH 30V 147A SO8 FL |
| NTMFS4935NCT3G | MOSFET N-CH 30V SO8-FL |
| NTMFS4936NCT3G | MOSFET N-CH 30V 11.6A SO-8FL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS4926NT3G | 功能描述:MOSFET TRENCH 3.1 30V 7 Ohm NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4927NCT1G | 功能描述:MOSFET TRENCH 3.1 NCH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4927NCT3G | 功能描述:MOSFET N-CH 30V SO8-FL RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NTMFS4927NT1G | 功能描述:MOSFET TRENCH 3.1 30V 9 Ohm NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4927NT3G | 功能描述:MOSFET TRENCH 3.1 30V 9 Ohm NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。