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参数资料
| 型号： | NTMFS4933NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 232A SO8 FL |
| 标准包装： | 1,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.2 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 62.1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10930pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 950mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMFS4933N
TYPICAL CHARACTERISTICS
3.8 V to
200
10 V
220
180
3.4 V
T J = 25 ° C
200
V DS = 10 V
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
V GS = 3.2 V
3.0 V
2.8 V
2.6 V
2.4 V
2.2 V
1 2 3
4
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
1
1.5
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
2 2.5
T J = ? 55 ° C
3 3.5
4
0.0027
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.0018
Figure 2. Transfer Characteristics
0.0025
0.0023
0.0021
0.0019
0.0017
0.0015
0.0013
0.0011
0.0009
I D = 30 A
T J = 25 ° C
0.0017
0.0016
0.0015
0.0014
0.0013
0.0012
0.0011
0.0010
0.0009
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0.0007
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
0.0008
20
40
60
80
100
120
140
160
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
2
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
I D = 30 A
V GS = 10 V
? 50 ? 25
0
25
50
75
100
125
100000
10000
1000
100
10
150
5
V GS = 0 V
10
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
T J = 85 ° C
15 20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| NTMFS4934N | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET N CH 30V 17.1A SO8 FL 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 17.1A, SO8 FL 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 17.1A, SO8 FL, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:147A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):0.0022ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage Vgs Typ:1.6V, Power , RoHS Compliant: Yes |
| NTMFS4934NT1G | 功能描述:MOSFET Power MOSFET 30V 147A 2m OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4934NT3G | 功能描述:MOSFET Power MOSFET 30V 147A 2m OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4935N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 93 A, Single N−Channel, SO−8 FL |
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