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参数资料
| 型号： | NTMFS4933NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 232A SO8 FL |
| 标准包装： | 1,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.2 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 62.1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10930pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 950mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMFS4933N
TYPICAL CHARACTERISTICS
13000
10
V DD = 15 V
12000
11000
10000
9000
8000
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
C oss
C rss
5 10 15 20 25
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
30
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
T J = 25 ° C
Q T
Q GS
Q GD
V GS = 10 V
I D = 30 A
0 20 40 60 80 100 120 140
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage vs. Total Charge
10000
30
1000
100
V DD = 15 V
I D = 15 A
V GS = 10 V
t d(off)
t f
t r
t d(on)
25
20
15
10
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
10
5
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
520
480
I D = 58 A
100
10 m s
100 m s
440
400
360
10
1
0.1
0.01
0.01
0 V ≤ V GS ≤ 20 V
SINGLE PULSE
T A = 25 ° C
T J = 150 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
0.1 1 10
1 ms
10 ms
100 ms
dc
100
320
280
240
200
160
120
80
40
0
25
50 75 100 125 150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMFS4934NT1G | MOSFET N-CH 30V 147A SO8 FL |
| NTMFS4935NCT3G | MOSFET N-CH 30V SO8-FL |
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| NTMFS4937NT1G | MOSFET N-CH 30V 10.2A SO8 FL |
| NTMFS4939NT3G | MOSFET N-CH 30V 9.3A SO8 FL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS4933NT3G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V 232A 1.5MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4934N | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET N CH 30V 17.1A SO8 FL 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 17.1A, SO8 FL 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 17.1A, SO8 FL, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:147A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):0.0022ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage Vgs Typ:1.6V, Power , RoHS Compliant: Yes |
| NTMFS4934NT1G | 功能描述:MOSFET Power MOSFET 30V 147A 2m OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4934NT3G | 功能描述:MOSFET Power MOSFET 30V 147A 2m OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4935N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 93 A, Single N−Channel, SO−8 FL |
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