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参数资料
| 型号： | NTMS4816NR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6.8A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Wire Change 29/Aug/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1060pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 780mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTMS4816NR2GOSDKR |
NTMS4816N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
20
15
10
5
6V
5V
4.5 V
4.2 V
4V
3.8 V
10V
T J = 25 ° C
3.6 V
3.4 V
3.2 V
20
15
10
5
V DS ≥ 10 V
T J = 100 ° C
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.8 V
2.5
3.0 V
3.0
0
1
2
T J = 25 ° C
3
T J = ? 55 ° C
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.050
0.045
0.040
0.035
0.030
0.025
0.020
0.015
0.010
T J = 25 ° C
I D = 9 A
0.02
0.0175
0.015
0.0125
0.01
0.0075
0.005
0.0025
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0.005
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
I D = 9 A
V GS = 10 V
100000
10000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
1000
T J = 100 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
100
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| NTMS4872NR2G | 功能描述:MOSFET NFET SO8 30V 10.2A 13.5mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMS4873NF | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 11.5 A, N−Channel, SO−8 |
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