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参数资料
| 型号： | NTMS4872NR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Wire Change 29/Aug/2008 Product Obsolescence 24/Jan/2011 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13.5 毫欧 @ 10.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1700pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 820mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMS4872N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
20
20
18
16
14
12
10
10V
5V
4.5 V
4.2 V
4V
3.8 V
3.6 V
3.4 V
3.2 V
T J = 25 ° C
3.0 V
40
35
30
25
20
V DS ≥ 10 V
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
2.8 V
2.6 V
2.4 V
5
15
10
5
0
0
1
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
2
T J = ? 55 ° C
3 4
5
0.045
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.016
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.035
T J = 25 ° C
I D = 10 A
0.014
0.012
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.025
0.01
0.015
0.008
V GS = 10 V
0.005
2
4
6
8
10
0.006
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.8
1.6
I D = 10.2 A
V GS = 10 V
100000
V GS = 0 V
10000
1.4
1.2
1.0
1000
T J = 150 ° C
T J = 100 ° C
100
0.8
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
0
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMS4873NFR2G | MOSFET N-CH SGL 30V 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NTMS4916N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 11.6 A, N?Channel, SO?8 Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses |
| NTMS4916NR2G | 功能描述:MOSFET NFET SO8 30V 11.4A 9MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMS4917N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 10.5 A, N?Channel, SO?8 Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses |
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