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参数资料
| 型号： | NTMS4872NR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Wire Change 29/Aug/2008 Product Obsolescence 24/Jan/2011 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13.5 毫欧 @ 10.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1700pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 820mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMS4872N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
1500
1200
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
10
8
QT
V GS
900
6
600
4
Q GS
Q GD
C oss
300
0
0
C rss
5 10
15
20
25
30
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
I D = 10.2 A
T J = 25 ° C
16 18
20
1000
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
5
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? To ? Source and
Drain ? To ? Source Voltage vs. Total Charge
100
V DD = 15 V
I D = 10.2 A
V GS = 10 V
t d(off)
t f
t r
4
3
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t d(on)
2
1
1
1
10
100
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
100
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
10 m s
25
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
I D = 7 A
10
100 m s
1 ms
20
15
1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
10 ms
10
0.1
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
dc
5
THERMAL LIMIT
0.01
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
0
25
50 75 100
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMS4873NFR2G | MOSFET N-CH SGL 30V 8-SOIC |
| NTMS4916NR2G | MOSFET N-CH 30V 11.4A SO8 FL |
| NTMS4917NR2G | MOSFET N-CH 30V 10.2A SO8 FL |
| NTMS4920NR2G | MOSFET N-CH 30V 10.6A 8SOIC |
| NTMS4935NR2G | MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMS4873NF | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 11.5 A, N−Channel, SO−8 |
| NTMS4873NFR2G | 功能描述:MOSFET NFET SO8 30V 11.7A 12MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMS4916N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 11.6 A, N?Channel, SO?8 Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses |
| NTMS4916NR2G | 功能描述:MOSFET NFET SO8 30V 11.4A 9MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMS4917N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 10.5 A, N?Channel, SO?8 Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses |
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