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参数资料
| 型号： | NTMS4920NR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 10.6A 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.3 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 58.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4068pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 820mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMS4920N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
34
32
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
10V
4.5 V
3.6 V
3.2 V
3V
0.5
1.0
2V
1.5
T J = 25 ° C
2.8 V
2.6 V
2.4 V
2.2 V
2.0
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
1
V DS ≥ 10 V
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
1.5 2
T J = ? 55 ° C
2.5 3
3.5
4
4.5
0.050
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.006
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.045
0.040
0.035
T J = 25 ° C
I D = 7.5 A
0.005
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.030
0.025
0.004
0.020
0.015
0.010
0.005
0.003
V GS = 10 V
0.000
2
4
6
8
10
0.002
5
7.5
10
12.5
15
17.5 20
22.5
25
27.5 30
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.8
1.6
V GS = 10 V
I D = 7.5 A
10000
V GS = 0 V
1.4
1.2
1.0
0.8
1000
T J = 125 ° C
T J = 100 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
100
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NTMS4939N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 12.5 A, N−Channel, SO−8 |
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