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参数资料
| 型号： | NTMS7N03R2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Wire Change 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 43nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1190pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTMS7N03R2GOSDKR |
NTMS7N03R2
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
10
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
Normalized to q ja at 10s.
0.02
Chip
0.0163 W
0.0652 W
0.1988 W
0.6411 W
0.9502 W
0.01
0.01
SINGLE PULSE
0.0307 F
0.1668 F
0.5541 F
1.9437 F
72.416 F
Ambient
0.001
1.0E?05
1.0E?04
1.0E?03
1.0E?02
1.0E?01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
t, TIME (s)
Figure 14. Thermal Response
di/dt
I S
t rr
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
I S
Figure 15. Diode Reverse Recovery Waveform
http://onsemi.com
8
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PDF描述 |
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参数描述 |
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