- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17486 > NTP52N10 (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NTP52N10 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 26A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 135nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3150pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 214W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTP52N10OS |
NTP52N10
100
80
8V
7V
V GS = 10 V
9V
T J = 25 ° C
6V
100
80
V DS ≥ 10 V
60
40
5.5 V
60
40
20
0
0
1
2
3
4
4V
5
4.5 V
6 7
8
5V
9
10
20
0
2
T J = 25 ° C
T J = 100 ° C
3 4
T J = ? 55 ° C
5 6
7
8
0.05
0.04
0.03
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS = 10 V
T J = 100 ° C
0.05
0.04
0.03
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
T J = 25 ° C
V GS = 10 V
0.02
0.01
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.02
0.01
V GS = 15 V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
0
20
40
60
80
100
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus
Drain Current and Temperature
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
2.5
I D = 26 A
V GS = 10 V
10000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
2
1.5
1000
1
0.5
100
T J = 100 ° C
0
? 50 ? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
10
30
40
50
60
70
80
90
100
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? To ? Source Leakage
Current versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A7NOK-0906M | DSUB CABL-AMN09K/ AE10M / AFN09K |
| PV37Z104C31A00 | TRIMMER 100K OHM 0.25W TH |
| PV37Z103C31A00 | TRIMMER 10K OHM 0.25W TH |
| ABM12-44.000MHZ-B2X-T3 | CRYSTAL 44.000 MHZ 8 PF SMD |
| LB25CKW01-6G-JB | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 3A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTP52N10/D | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 52 Amps, 100 Volts |
| NTP52N10D | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 52 Amps, 100 Volts |
| NTP52N10G | 功能描述:MOSFET 100V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTP5404N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 136 A, Single N−Channel, D2PAK & TO−220 |
| NTP5404NRG | 功能描述:MOSFET NFET TO220 40V 136A 3.5mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。